通過設(shè)置設(shè)備箱體、卡匣定位結(jié)構(gòu)、檢測機(jī)構(gòu)和推料機(jī)構(gòu),使得在晶圓片傳送時能夠通過卡匣定位結(jié)構(gòu)對卡匣進(jìn)行定位，然后再通過檢測機(jī)構(gòu)檢測卡匣內(nèi)晶圓片的位置，避免晶圓片錯位，后通過推料機(jī)構(gòu)實現(xiàn)卡匣的傳送,整個傳送過程簡單、易操作，實現(xiàn)自動化傳片,且能夠?qū)A片進(jìn)行檢測避免晶圓片錯位造成傳片損壞。

很長一段時間，鋸切一直是被廣泛使用的傳統(tǒng)的切割方法，其大的優(yōu)點就是可以在短時間內(nèi)切割大量的晶圓。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片邊緣剝落的可能性就會變大。因此，應(yīng)將葉輪的旋轉(zhuǎn)次數(shù)控制在每分鐘30000次左右。

晶圓切割時，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片?？墒?，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。

刀痕，自動校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進(jìn)行實時檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對加工物進(jìn)行清洗。半自動劃片機(jī)LX3356機(jī)臺可作業(yè)8時wafer，含自動光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等。可自動檢測切割刀痕，自動校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進(jìn)行實時檢測。
頂面碎片，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當(dāng)切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進(jìn)給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面，當(dāng)大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴(kuò)散開并匯合到一起的時候。當(dāng)這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不計。另一方面，當(dāng)尺寸大于25um時，可以看作是潛在的受損?？墒牵?0um的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。
在切片或任何其它磨削過程中，在不超出可接受的切削質(zhì)量參數(shù)時，新一代的切片系統(tǒng)可以自動監(jiān)測施加在刀片上的負(fù)載，或扭矩。對于每一套工藝參數(shù)，都有一個切片質(zhì)量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系，和其變量的測量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實時調(diào)整，使得不超過招矩極限和獲得大的進(jìn)給速度。
以穩(wěn)定的扭矩運轉(zhuǎn)的系統(tǒng)要求進(jìn)給率、心軸速度和冷卻劑流量的穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加阻力，它造成扭力。新一代的切片系統(tǒng)通過控制冷卻劑流量來保持穩(wěn)定的流速和阻力，從而保持冷卻劑扭矩影響穩(wěn)定。當(dāng)切片機(jī)有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時，維持一個穩(wěn)定的扭矩。如果記錄，從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調(diào)整的變化、刀片對刀片的變化、刀片情況和操作員錯誤。
通常來說，對于小芯片減薄劃片時使用UV膜，對于大芯片減薄劃片時使用藍(lán)膜，因為，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時間和強(qiáng)度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏抓或者抓崩。若芯片在減薄劃切實之后，直接上倒封裝標(biāo)簽生產(chǎn)線，那么好使用UV膜，因為倒封裝生產(chǎn)線的芯片一般比較小，而且設(shè)備的頂針在藍(lán)膜底部將芯片頂起。如果使用較大粘性剝離度的藍(lán)膜，可能使得頂針在頂起芯片的過程中將芯片頂碎。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時資產(chǎn)擁有的成本小。可是，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進(jìn)給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進(jìn)給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進(jìn)給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準(zhǔn)運算的設(shè)備。